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DMN4031SSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.031 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.560 | CNY7.56 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
| 10+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
| 100+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
| 500+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 1000+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 5000+ | CNY1.850 (CNY2.0905) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN4031SSD-13复制
库存编号
复卷3944114RL
切割卷带3944114
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道5.2A
连续漏极电流 Id P沟道5.2A
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.6W
耗散功率P沟道2.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
5.2A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.6W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
5.2A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001