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DMN30H4D0L-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 250 mA, 2.1 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY7.320 | CNY7.32 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 10+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
| 100+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
| 500+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 1000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 5000+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
250mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
2.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001