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DMN3032LFDBQ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.03 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY6.480 | CNY6.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 10+ | CNY4.090 (CNY4.6217) |
| 100+ | CNY2.690 (CNY3.0397) |
| 500+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 1000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 5000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3032LFDBQ-7
库存编号
复卷3944105RL
切割卷带3944105
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续6.2A
连续漏极电流 Id N沟道6.2A
在电阻RDS（上）0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道6.2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型UDFN2020
阈值栅源电压最大值1.5V
功耗 Pd1.7W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.2A
连续漏极电流 Id P沟道
6.2A
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
6.2A
在电阻RDS（上）
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
UDFN2020
功耗 Pd
1.7W
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001