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DMN3016LSS-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 10.3 A, 8000 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.180 | CNY30.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.180 (CNY6.9834) |
| 10+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 100+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 500+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 1000+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 5000+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3016LSS-13
库存编号
复卷3943578RL
切割卷带3943578
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续10.3A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10.3A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001