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DMN3009LFVWQ-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY4.890 | CNY4.89 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.890 (CNY5.5257) |
| 10+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
| 100+ | CNY4.140 (CNY4.6782) |
| 500+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 1000+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 5000+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN3009LFVWQ-7复制
库存编号
复卷3405176RL
切割卷带3405176
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻3500µohm
晶体管封装类型PowerDI 3333
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMN3009LFVWQ-7 是一款 30V N 沟道增强型 MOSFET，采用 8 引脚 PowerDI3333 封装。这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC-Q101 标准，并通过了 PPAP 认证，是背光、电源管理功能和 DC-DC 转换器的理想之选。
- VGS = 10V 最大值 RDS(on) 时为 5.0 mohm
- 低 RDS（ON）确保最大限度减少导通状态损耗
- 小尺寸热效率封装可实现更高密度的终端产品
- 占用的电路板面积仅为 SO-8 的 33%，使最终产品尺寸更小
- 在生产中进行 100% 的 UIS 测试 — 确保终端应用更可靠、更稳健
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerDI 3333
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002