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DMN3008SFG-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 62 A, 3900 µohm, PowerDI 3333, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.850 | CNY8.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.850 (CNY10.0005) |
| 10+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 100+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 1000+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 5000+ | CNY2.130 (CNY2.4069) |
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产品概述
DMN3008SFG-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET in an 8 pin PowerDI3333 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions and DC-DC converters.
- Dain-source voltage is 30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 150A
- Total power dissipation is 0.9W(TA = +25°C)
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Static drain-source on-resistance is 5.5mohm(VGS = 4.5V, ID = 13.5A)
- Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized
- Small, form factor thermally efficient package enables higher density end products
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
62A
晶体管封装类型
PowerDI 3333
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001