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DMN2990UDJ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.99 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.660 | CNY23.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
| 10+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 100+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1000+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 5000+ | CNY0.976 (CNY1.1029) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
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库存编号
复卷3944100RL
切割卷带3944100
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道450mA
连续漏极电流 Id P沟道450mA
漏源通态电阻N沟道0.99ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-963
针脚数6引脚
耗散功率N沟道350mW
耗散功率P沟道350mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
450mA
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
350mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
450mA
漏源通态电阻N沟道
0.99ohm
晶体管封装类型
SOT-963
耗散功率N沟道
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001