打印页面
DMN2400UV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.48 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 10+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 100+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 500+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 1000+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 5000+ | CNY0.784 (CNY0.8859) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY23.60 (CNY26.67 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2400UV-7复制
库存编号
切割卷带2543515
切割卷带2543515RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.33A
连续漏极电流 Id P沟道1.33A
漏源通态电阻N沟道0.48ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道530mW
耗散功率P沟道530mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.33A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
530mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.33A
漏源通态电阻N沟道
0.48ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
530mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005