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DMN2100UDM-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-26, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.110 | CNY25.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
| 10+ | CNY3.180 (CNY3.5934) |
| 100+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 500+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 1000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 5000+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-26
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.032ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001