打印页面
DMN2050LFDB-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4 有货
需要更多？
4 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY7.480 | CNY37.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.480 (CNY8.4524) |
| 10+ | CNY5.040 (CNY5.6952) |
| 100+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 500+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 1000+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 5000+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2050LFDB-7
库存编号
复卷3944096RL
切割卷带3944096
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.028ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型UDFN2020
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd1.42W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.42W
耗散功率P沟道1.42W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.028ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.42W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
UDFN2020
功耗 Pd
1.42W
耗散功率N沟道
1.42W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001