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DMN2041UVT-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.360 | CNY21.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.360 (CNY4.9268) |
| 10+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 100+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 500+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 1000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 5000+ | CNY0.834 (CNY0.9424) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2041UVT-7复制
库存编号
复卷3405238RL
切割卷带3405238
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5.8A
连续漏极电流 Id P沟道5.8A
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
5.8A
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536