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DMN2028UFU-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0202 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY5.510 | CNY27.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.510 (CNY6.2263) |
| 10+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 100+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 500+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 1000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 5000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2028UFU-7
库存编号
复卷3944093RL
切割卷带3944093
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续7.5A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.0153ohm
连续漏极电流 Id N沟道7.5A
连续漏极电流 Id P沟道7.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0202ohm
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型U-DFN2030
针脚数6引脚
功耗 Pd1.8W
耗散功率N沟道1.8W
耗散功率P沟道1.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
7.5A
在电阻RDS（上）
0.0153ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0202ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
U-DFN2030
功耗 Pd
1.8W
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
7.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001