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DMN2024UVTQ-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.770 | CNY18.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
| 10+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
| 100+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
| 500+ | CNY1.700 (CNY1.921) |
| 1000+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 5000+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2024UVTQ-7
库存编号
复卷3828404RL
切割卷带3828404
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续7A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.019ohm
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值900mV
针脚数6引脚
功耗 Pd1.6W
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
7A
在电阻RDS（上）
0.019ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
900mV
功耗 Pd
1.6W
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOT-26
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001