打印页面
DMN2004DWK-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.720 | CNY28.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 50+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
| 100+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1500+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2004DWK-7复制
库存编号
复卷2543522RL
切割卷带2543522
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道540mA
连续漏极电流 Id P沟道540mA
漏源通态电阻N沟道0.4ohm
漏源导通电阻P沟道0.4ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道200mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
540mA
漏源导通电阻P沟道
0.4ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
200mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
540mA
漏源通态电阻N沟道
0.4ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005