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DMN12M3UCA6-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY6.230 | CNY6.23 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 10+ | CNY5.150 (CNY5.8195) |
| 100+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 500+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 1000+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN12M3UCA6-7复制
库存编号
复卷3405235RL
切割卷带3405235
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道14V
漏源电压Vds P沟道14V
连续漏极电流 Id N沟道24.4A
连续漏极电流 Id P沟道24.4A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型X4-DSN3118
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
14V
连续漏极电流 Id P沟道
24.4A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
14V
连续漏极电流 Id N沟道
24.4A
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
X4-DSN3118
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002