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DMN10H220L-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.560 | CNY12.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 50+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 100+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 500+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 1500+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
| 9000+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN10H220L-7
库存编号
整卷3127518
复卷3127326RL
切割卷带3127326
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续1.4A
漏源接通状态电阻0.22ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMN10H220L-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种新一代 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用和负载开关的理想之选。
- 低导通电阻、低输入电容
- 开关速度快，输入/输出漏电低
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 100V
- 在TA = +25°C 时，栅极至源极电压为 ±16V
- 在 Tc=+25°C 和 VGS=10V 时，漏极连续电流为 1.6A
- 在TA = +25°C 时，脉冲漏极电流（10µs 脉冲，占空比 = 1%）为 8A
- 在TA = +25°C 时，总功率耗散为 1.3W
- 在TA = +25°C 时，本体二极管最大连续正向电流为 0.6A
- SOT23（标准）封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.22ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121