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DMG9933USD-13
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.075 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY5.660 | CNY28.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.660 (CNY6.3958) |
| 10+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 100+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 500+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 1000+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 5000+ | CNY1.410 (CNY1.5933) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
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库存编号
复卷3944076RL
切割卷带3944076
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续4.6A
在电阻RDS（上）0.055ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.6A
连续漏极电流 Id P沟道4.6A
漏源通态电阻N沟道0.075ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.075ohm
阈值栅源电压最大值1.1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.15W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.15W
耗散功率P沟道1.15W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.055ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.075ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.15W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
4.6A
连续漏极电流 Id N沟道
4.6A
漏源通态电阻N沟道
0.075ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.1V
功耗 Pd
1.15W
耗散功率N沟道
1.15W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001