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DMG6602SVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.400 | CNY12.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 50+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 100+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 500+ | CNY0.892 (CNY1.008) |
| 1500+ | CNY0.875 (CNY0.9888) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.679 (CNY0.7673) |
| 9000+ | CNY0.618 (CNY0.6983) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6602SVT-7复制
库存编号
整卷3127557
复卷3127319RL
切割卷带3127319
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
漏源通态电阻N沟道0.038ohm
漏源导通电阻P沟道0.038ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道840mW
耗散功率P沟道840mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
840mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
840mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121