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DMG6601LVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.450 | CNY17.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 50+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
| 100+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1500+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.862 (CNY0.9741) |
| 9000+ | CNY0.845 (CNY0.9548) |
品項附註
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产品信息
产品概述
这款MOSFET设计具有低导通电阻, 同时保持优异的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。
- 互补式MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
3.8A
漏源导通电阻P沟道
0.034ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
850mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.8A
漏源通态电阻N沟道
0.034ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
850mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005