打印页面
DMG6402LVT-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,084 有货
需要更多？
2,084 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.160 | CNY20.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 10+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 100+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 500+ | CNY1.460 (CNY1.6498) |
| 1000+ | CNY0.935 (CNY1.0566) |
| 5000+ | CNY0.917 (CNY1.0362) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6402LVT-7复制
制造商标准货期61 周
库存编号
复卷3577035RL
切割卷带3577035
产品范围DMG6402LVT
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TSOT-26
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散1.75W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围DMG6402LVT
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TSOT-26
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.75W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.022ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
6引脚
产品范围
DMG6402LVT
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002