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DMG1029SVQ-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 0.02 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY2.980 | CNY14.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 10+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 100+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 500+ | CNY0.938 (CNY1.0599) |
| 1000+ | CNY0.926 (CNY1.0464) |
| 5000+ | CNY0.914 (CNY1.0328) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1029SVQ-7
库存编号
复卷3944063RL
切割卷带3944063
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续500mA
在电阻RDS（上）1.3ohm
连续漏极电流 Id N沟道500mA
连续漏极电流 Id P沟道500mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道4ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型SOT-563
功耗 Pd1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
1.3ohm
连续漏极电流 Id P沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
漏源导通电阻P沟道
4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
500mA
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001