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DMG1026UV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.040 | CNY15.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 50+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 100+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 500+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 1500+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1026UV-7复制
库存编号
复卷3127312RL
切割卷带3127312
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道410mA
连续漏极电流 Id P沟道410mA
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道580mW
耗散功率P沟道580mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
410mA
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
580mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
410mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
580mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145