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DMG1013UWQ-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.620 | CNY8.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 50+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
| 100+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 500+ | CNY0.793 (CNY0.8961) |
| 1500+ | CNY0.778 (CNY0.8791) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1013UWQ-7复制
库存编号
复卷3127311RL
切割卷带3127311
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续820mA
漏源接通状态电阻0.75ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散310mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMG1013UWQ-7 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 3 引脚 SOT323 封装。DMG1013UWQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件通过了 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 要求，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
- 电源电压为 -20V
- 栅极-源极电压为 ±6V
- 脉冲漏极电流为 -3A
- 功耗: 0.31W
- 工作温度范围 -55 至 +150°C
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 静电防护保护
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
820mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.75ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
DMG1013UWQ-7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145