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DMG1013UW-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.815 | CNY4.07 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.815 (CNY0.921) |
| 50+ | CNY0.660 (CNY0.7458) |
| 100+ | CNY0.505 (CNY0.5706) |
| 500+ | CNY0.315 (CNY0.356) |
| 1500+ | CNY0.309 (CNY0.3492) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1013UW-7复制
库存编号
复卷2543526RL
切割卷带2543526
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续820mA
漏源接通状态电阻0.75ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散310mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMG1013UW-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -0.82A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is -6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.31W at TA = +25°C
- SOT-323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
820mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.75ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005