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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.350 | CNY6.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
| 50+ | CNY1.100 (CNY1.243) |
| 100+ | CNY0.839 (CNY0.9481) |
| 500+ | CNY0.546 (CNY0.617) |
| 1500+ | CNY0.536 (CNY0.6057) |
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产品概述
DMG1013UW-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -0.82A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is -6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.31W at TA = +25°C
- SOT-323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
820mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.75ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
DMG1013UW-7 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.005
