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DMG1013T-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.497 | CNY2.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.497 (CNY0.5616) |
| 50+ | CNY0.415 (CNY0.469) |
| 100+ | CNY0.332 (CNY0.3752) |
| 500+ | CNY0.305 (CNY0.3446) |
| 1500+ | CNY0.300 (CNY0.339) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1013T-7
库存编号
复卷2543525RL
切割卷带2543525
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续460mA
漏源接通状态电阻0.7ohm
晶体管封装类型SOT-523
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散270mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
这款新一代MOSFET设计具有低导通电阻 (RDS(on)), 同时保持卓越的开关性能, 使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- 适用于DC/DC转换器, 负载开关和电源管理功能
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
460mA
晶体管封装类型
SOT-523
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
270mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.7ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005