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DMG1012UW-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.570 | CNY7.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.570 (CNY1.7741) |
| 50+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 100+ | CNY1.150 (CNY1.2995) |
| 500+ | CNY0.629 (CNY0.7108) |
| 1500+ | CNY0.617 (CNY0.6972) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.466 (CNY0.5266) |
| 9000+ | CNY0.457 (CNY0.5164) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1012UW-7复制
库存编号
整卷3127529
复卷3127309RL
切割卷带3127309
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻0.45ohm
晶体管封装类型SOT-323
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散290mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMG1012UW-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。
- 低导通电阻、低栅极阈值电压
- 低输入电容，开关速度快
- 低输入/输出漏电流，高达 2kV 的 ESD 保护
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 20V
- 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±6V
- 在 TA = +25°C 时，稳态连续漏极电流为 1A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 6A
- 总功耗为 0.29W（环境温度 TA = +25°C）
- SOT323 封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
290mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.45ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMG1012UW-7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000053