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DMG1012T-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.620 | CNY8.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 50+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 100+ | CNY0.980 (CNY1.1074) |
| 500+ | CNY0.622 (CNY0.7029) |
| 1500+ | CNY0.610 (CNY0.6893) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.546 (CNY0.617) |
| 9000+ | CNY0.536 (CNY0.6057) |
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产品概述
DMG1012T-7是一款N沟道增强型MOSFET。
- 低导通电阻，低栅极阈值电压
- 低输入电容，快速开关速度
- 低输入/输出漏电流，ESD防护高达2kV
- 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 20V
- 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±6V
- 在TA=+25°C稳态下，持续漏极电流为0.63A
- 在 TA = +25°C 时，脉冲漏极电流为 3A
- 在TA=+25°C时总功耗为0.28W
- SOT523封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SOT-523
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000053