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DMG1012T-13
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 630 mA, 0.3 ohm, SOT-523, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.940 | CNY9.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
| 10+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 100+ | CNY0.751 (CNY0.8486) |
| 500+ | CNY0.560 (CNY0.6328) |
| 1000+ | CNY0.439 (CNY0.4961) |
| 5000+ | CNY0.385 (CNY0.435) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1012T-13
库存编号
复卷3943476RL
切割卷带3943476
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续630mA
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型SOT-523
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散280mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
630mA
晶体管封装类型
SOT-523
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001