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DMC3730UFL3-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.750 | CNY18.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 10+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 100+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 500+ | CNY1.120 (CNY1.2656) |
| 1000+ | CNY0.809 (CNY0.9142) |
| 5000+ | CNY0.710 (CNY0.8023) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3730UFL3-7
库存编号
复卷3944052RL
切割卷带3944052
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续1.1A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.291ohm
连续漏极电流 Id N沟道1.1A
连续漏极电流 Id P沟道1.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.46ohm
漏源导通电阻P沟道1ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型X2-DFN1310
阈值栅源电压最大值720mV
针脚数6引脚
功耗 Pd390mW
耗散功率N沟道390mW
耗散功率P沟道390mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
1.1A
在电阻RDS（上）
0.291ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1.1A
漏源通态电阻N沟道
0.46ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
720mV
功耗 Pd
390mW
耗散功率P沟道
390mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
1.1A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1ohm
晶体管封装类型
X2-DFN1310
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
390mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001