打印页面
DMC3071LVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.05 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：50 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY4.050 | CNY20.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 10+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
| 100+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 500+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 1000+ | CNY0.717 (CNY0.8102) |
| 5000+ | CNY0.703 (CNY0.7944) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3071LVT-7
库存编号
复卷3944047RL
切割卷带3944047
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4.6A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4.6A
在电阻RDS（上）0.034ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.6A
漏源通态电阻N沟道0.05ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.095ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd1.1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4.6A
连续漏极电流 Id N沟道
4.6A
连续漏极电流 Id P沟道
4.6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.095ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.034ohm
漏源通态电阻N沟道
0.05ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
1.1W
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001