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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.510 | CNY12.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
| 50+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 100+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 500+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 1500+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.919 (CNY1.0385) |
| 9000+ | CNY0.827 (CNY0.9345) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2038LVT-7复制
库存编号
整卷3127525
复卷3127305RL
切割卷带3127305
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
漏源导通电阻P沟道0.074ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道800mW
耗散功率P沟道800mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源导通电阻P沟道
0.074ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
800mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004536
