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DGD21032S8-13
MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY4.680 | CNY4.68 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
| 10+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 100+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
品項附註
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技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
290mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
70ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
600mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
35ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001633