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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.450 | CNY17.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
| 50+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
| 100+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 500+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
| 1500+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS8402DW-7-F
库存编号
复卷1713834RL
切割卷带1713834
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道115mA
连续漏极电流 Id P沟道130mA
漏源通态电阻N沟道7.5ohm
漏源导通电阻P沟道10ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道200mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSS8402DW-7-F is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, complementary pair
- Drain source voltage is 60V at TA = +25°C, P/N channel
- Continuous drain current is 115mA at TA = +25°C, P/N channel
- Drain source on state resistance is 13.5ohm at TA = +25°C, P/N channel
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C, P/N channel
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
130mA
漏源导通电阻P沟道
10ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
200mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
115mA
漏源通态电阻N沟道
7.5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
BSS8402DW-7-F 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006
