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BSP75N
功率场效应管, MOSFET, 增强模式, N通道, 60 V, 1.1 A, 0.55 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.860 | CNY16.86 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.860 (CNY19.0518) |
| 10+ | CNY11.580 (CNY13.0854) |
| 50+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 200+ | CNY6.160 (CNY6.9608) |
| 500+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
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产品概述
BSP75N 是一款 60V 自保护低压侧 MOSFET，用作通用开关。该 MOSFET 具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。MOSFET 可取代机电继电器和分立电路。当"智能"MOSFET 检测到任何一种潜在的灾难性条件时，它都会保护自身和与其相连的负载。因此，这些保护功能的集成提高了整个系统的可靠性。增加状态标志等功能还能提供诊断能力，帮助隔离和排除车内故障，从而有助于提高整体系统性能。自保护 MOSFET 可分为低压侧设备和高压侧设备，低压侧设备是指以接地为基准切换负载，高压侧设备是指以浮点为基准切换负载。
- 短路保护，自动重启
- 过压保护（主动钳位）
- 过热关断, 带自动重启
- 过流保护
- 输入保护 (ESD)
- 高额定连续电流
- 负载转储保护（主动保护负载）
- 逻辑电平输入
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.1A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000124