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BS250P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 45 V, 230 mA, 14 ohm, E-Line, 通孔
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| 5+ | CNY8.350 (CNY9.4355) |
| 50+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 250+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 1000+ | CNY5.340 (CNY6.0342) |
| 2000+ | CNY5.230 (CNY5.9099) |
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产品概述
BS250P 是一款 P 沟道增强型垂直 DMOS FET。
- 在 ID = -100µA、VGS = 0V、TA = +25°C 时，漏极-源极击穿电压为 -45V
- 在 ID=-1mA、VDS=VGS、TA=+25°C 时，栅极-源极阈值电压为 -3.5V
- 零栅极电压漏极电流最大为 -500nA，VGS=0V，VDS=-25V，TA=+25°C
- 静态漏极-源极导通电阻最大值为 14 ohm（VGS=-10V，ID=-200mA，TA=+25°C 时
- 在 VDS=-10V、ID=-200mA、TA=+25°C 时，正向跨导为 150ms（典型值）
- 在 VGS=0V, VDS=-10V, f=1.0MHz, TA=+25°C 时，输入电容为 60pF（典型值）
- 在 VDD=-25V、ID=-500mA、TA=+25°C 时，最大导通/关断时间为 20ns
- 在TA=+25°C 时，功率耗散为 700mW
- E-Line 封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
230mA
晶体管封装类型
E-Line
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
700mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
14ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361