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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.790 | CNY13.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
| 50+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 100+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 500+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 1500+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 9000+ | CNY0.732 (CNY0.8272) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BC847BS-7-F复制
库存编号
整卷4318378
复卷1773587RL
切割卷带1773587
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN100mA
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN200mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN200hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BC847BS-7-F is a dual NPN transistor for switching and AF amplifier application.
- Ultra-small surface mount package
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, IB = 0, TA = +25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 45V min at IC = 10mA, IB = 0, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 6V min at IE = 100µA, IC = 0, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 100MHz, TA = +25°C
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率NPN
200mW
直流电流增益hFE最小值NPN
200hFE
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
BC847BS-7-F 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000008
