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2N7002W-7-F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-323, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.010 | CNY5.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 50+ | CNY0.820 (CNY0.9266) |
| 100+ | CNY0.629 (CNY0.7108) |
| 500+ | CNY0.375 (CNY0.4238) |
| 1500+ | CNY0.368 (CNY0.4158) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.211 (CNY0.2384) |
| 9000+ | CNY0.207 (CNY0.2339) |
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产品概述
The 2N7002W-7-F is a N-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
2N7002W-7-F 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006