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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.430(CNY6.1359) 10+ CNY3.490(CNY3.9437) 100+ CNY2.850(CNY3.2205) 500+ CNY2.740(CNY3.0962) 1000+ CNY2.720(CNY3.0736) | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2A | 2A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 55ns | 55ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY4.860(CNY5.4918) 10+ CNY3.110(CNY3.5143) 100+ CNY2.410(CNY2.7233) 500+ CNY2.400(CNY2.712) | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 105ns | 105ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.750(CNY7.6275) 10+ CNY4.350(CNY4.9155) 100+ CNY3.560(CNY4.0228) 500+ CNY3.400(CNY3.842) 1000+ CNY3.160(CNY3.5708) 更多价格信息... | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1.5A | 1.5A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 75ns | 75ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.710(CNY7.5823) 10+ CNY4.240(CNY4.7912) 100+ CNY3.450(CNY3.8985) 500+ CNY3.290(CNY3.7177) 1000+ CNY3.170(CNY3.5821) 更多价格信息... | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1.5A | 1.5A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 75ns | 75ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.720(CNY6.4636) 10+ CNY3.640(CNY4.1132) 100+ CNY2.980(CNY3.3674) 500+ CNY2.840(CNY3.2092) 1000+ CNY2.740(CNY3.0962) 更多价格信息... | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.230(CNY5.9099) 10+ CNY3.360(CNY3.7968) 100+ CNY2.750(CNY3.1075) 500+ CNY2.630(CNY2.9719) 1000+ CNY2.620(CNY2.9606) | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 125ns | 125ns | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY4.140(CNY4.6782) 10+ CNY3.730(CNY4.2149) 100+ CNY3.510(CNY3.9663) 500+ CNY3.260(CNY3.6838) 1000+ CNY3.040(CNY3.4352) 更多价格信息... | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | ||||||
