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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.820(CNY21.2666) 10+ CNY12.810(CNY14.4753) 50+ CNY12.120(CNY13.6956) 100+ CNY11.430(CNY12.9159) 250+ CNY10.820(CNY12.2266) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | TFLGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.920(CNY20.2496) 10+ CNY13.230(CNY14.9499) 50+ CNY12.450(CNY14.0685) 100+ CNY11.810(CNY13.3453) 250+ CNY11.200(CNY12.656) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY24.290(CNY27.4477) 10+ CNY18.300(CNY20.679) 25+ CNY16.770(CNY18.9501) 50+ CNY15.900(CNY17.967) 100+ CNY15.030(CNY16.9839) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 半桥 | Si MOSFET | 8引脚 | NSOIC | 表面安装 | CMOS，反相，非反相，TTL | 4A | 4A | 3.1V | 4V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
每个 | 1+ CNY12.050(CNY13.6165) 10+ CNY8.010(CNY9.0513) 50+ CNY7.570(CNY8.5541) 100+ CNY7.120(CNY8.0456) 250+ CNY6.690(CNY7.5597) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | Si MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4A | -4A | 6.6V | 22V | -40°C | 125°C | 55ns | 55ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY24.290(CNY27.4477) 10+ CNY18.300(CNY20.679) 25+ CNY16.770(CNY18.9501) 50+ CNY15.940(CNY18.0122) 100+ CNY15.100(CNY17.063) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 半桥 | Si MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | CMOS，反相，非反相，TTL | 4A | 4A | 3.1V | 4V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
每个 | 1+ CNY12.420(CNY14.0346) 10+ CNY8.310(CNY9.3903) 50+ CNY7.830(CNY8.8479) 100+ CNY7.350(CNY8.3055) 250+ CNY6.900(CNY7.797) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | Si MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4A | -4A | 6.6V | 22V | -40°C | 125°C | 55ns | 55ns | - | ||||||
