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半桥、高压侧和低压侧 栅极驱动器 :
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=半桥、高压侧和低压侧
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.510(CNY16.3963) 10+ CNY9.650(CNY10.9045) 50+ CNY9.110(CNY10.2943) 100+ CNY8.560(CNY9.6728) 250+ CNY8.040(CNY9.0852) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY29.480(CNY33.3124) 10+ CNY22.090(CNY24.9617) 25+ CNY20.190(CNY22.8147) 50+ CNY19.200(CNY21.696) 100+ CNY18.200(CNY20.566) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 38ns | 38ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY34.370(CNY38.8381) 10+ CNY26.270(CNY29.6851) 25+ CNY24.510(CNY27.6963) 50+ CNY23.360(CNY26.3968) 100+ CNY22.310(CNY25.2103) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 9V | 14V | -40°C | 125°C | 39ns | 31ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY33.800(CNY38.194) 10+ CNY25.830(CNY29.1879) 25+ CNY24.100(CNY27.233) 50+ CNY22.970(CNY25.9561) 100+ CNY21.940(CNY24.7922) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
每个 | 1+ CNY48.780(CNY55.1214) 10+ CNY37.410(CNY42.2733) 25+ CNY35.010(CNY39.5613) 50+ CNY33.350(CNY37.6855) 100+ CNY31.870(CNY36.0131) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | TDFN | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 8V | 14V | -40°C | 125°C | 38ns | 32ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY33.800(CNY38.194) 10+ CNY25.830(CNY29.1879) 25+ CNY24.100(CNY27.233) 50+ CNY22.970(CNY25.9561) 100+ CNY21.940(CNY24.7922) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY40.260(CNY45.4938) 10+ CNY30.770(CNY34.7701) 25+ CNY28.710(CNY32.4423) 50+ CNY27.360(CNY30.9168) 100+ CNY26.130(CNY29.5269) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | NSOIC-EP | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 9V | 14V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.520(CNY16.4076) 10+ CNY10.470(CNY11.8311) 50+ CNY9.860(CNY11.1418) 100+ CNY9.240(CNY10.4412) 250+ CNY8.820(CNY9.9666) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 30ns | 30ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.460(CNY14.0798) 10+ CNY8.270(CNY9.3451) 50+ CNY7.540(CNY8.5202) 100+ CNY7.100(CNY8.023) 250+ CNY6.720(CNY7.5936) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.520(CNY16.4076) 10+ CNY10.470(CNY11.8311) 50+ CNY9.860(CNY11.1418) 100+ CNY9.240(CNY10.4412) 250+ CNY8.820(CNY9.9666) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.520(CNY16.4076) 10+ CNY10.470(CNY11.8311) 50+ CNY9.860(CNY11.1418) 100+ CNY9.240(CNY10.4412) 250+ CNY8.820(CNY9.9666) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.520(CNY16.4076) 10+ CNY10.470(CNY11.8311) 50+ CNY9.860(CNY11.1418) 100+ CNY9.240(CNY10.4412) 250+ CNY8.820(CNY9.9666) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY33.800(CNY38.194) 10+ CNY25.830(CNY29.1879) 25+ CNY24.100(CNY27.233) 50+ CNY22.970(CNY25.9561) 100+ CNY21.940(CNY24.7922) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
