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半桥、高压侧和低压侧 栅极驱动器 :
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=半桥、高压侧和低压侧
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.460(CNY15.2098) 10+ CNY10.210(CNY11.5373) 50+ CNY9.390(CNY10.6107) 100+ CNY8.940(CNY10.1022) 250+ CNY8.490(CNY9.5937) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.950(CNY16.8935) 10+ CNY9.660(CNY10.9158) 50+ CNY9.090(CNY10.2717) 100+ CNY8.500(CNY9.605) 250+ CNY7.930(CNY8.9609) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.790(CNY32.5327) 10+ CNY21.710(CNY24.5323) 25+ CNY19.960(CNY22.5548) 50+ CNY18.980(CNY21.4474) 100+ CNY17.990(CNY20.3287) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 38ns | 38ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY40.500(CNY45.765) 10+ CNY31.130(CNY35.1769) 25+ CNY28.790(CNY32.5327) 50+ CNY27.500(CNY31.075) 100+ CNY26.210(CNY29.6173) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
每个 | 1+ CNY40.500(CNY45.765) 10+ CNY31.130(CNY35.1769) 25+ CNY28.790(CNY32.5327) 50+ CNY27.500(CNY31.075) 100+ CNY26.210(CNY29.6173) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY41.180(CNY46.5334) 10+ CNY31.660(CNY35.7758) 25+ CNY29.280(CNY33.0864) 50+ CNY27.970(CNY31.6061) 100+ CNY26.660(CNY30.1258) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 9V | 14V | -40°C | 125°C | 39ns | 31ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY59.370(CNY67.0881) 10+ CNY45.640(CNY51.5732) 25+ CNY42.210(CNY47.6973) 50+ CNY40.320(CNY45.5616) 100+ CNY38.430(CNY43.4259) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | TDFN | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 8V | 14V | -40°C | 125°C | 38ns | 32ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY40.500(CNY45.765) 10+ CNY31.130(CNY35.1769) 25+ CNY28.790(CNY32.5327) 50+ CNY27.500(CNY31.075) 100+ CNY26.210(CNY29.6173) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | HTSSOP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 3A | 4A | 8V | 18V | -40°C | 125°C | 25ns | 29ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY48.200(CNY54.466) 10+ CNY37.060(CNY41.8778) 25+ CNY34.270(CNY38.7251) 50+ CNY32.730(CNY36.9849) 100+ CNY31.200(CNY35.256) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | NSOIC-EP | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 9V | 14V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.420(CNY16.2946) 10+ CNY9.950(CNY11.2435) 50+ CNY9.470(CNY10.7011) 100+ CNY8.980(CNY10.1474) 250+ CNY8.640(CNY9.7632) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 30ns | 30ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.420(CNY16.2946) 10+ CNY9.950(CNY11.2435) 50+ CNY9.470(CNY10.7011) 100+ CNY8.980(CNY10.1474) 250+ CNY8.640(CNY9.7632) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.420(CNY16.2946) 10+ CNY9.950(CNY11.2435) 50+ CNY9.470(CNY10.7011) 100+ CNY8.980(CNY10.1474) 250+ CNY8.640(CNY9.7632) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY14.420(CNY16.2946) 10+ CNY9.950(CNY11.2435) 50+ CNY9.470(CNY10.7011) 100+ CNY8.980(CNY10.1474) 250+ CNY8.640(CNY9.7632) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 半桥、高压侧和低压侧 | MOSFET | 10引脚 | DFN-EP | 表面安装 | 非反向 | 3A | 4A | 6V | 18V | -40°C | 125°C | 15ns | 15ns | - | ||||||
