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ASFC128G32T5-51BIN
闪存, eMMC NAND, 128 GB, 512G x 2位, eMMC, FBGA, 153 引脚
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库存编号4313442
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产品信息
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技术数据表
闪存类型eMMC NAND
存储密度128GB
记忆配置512G x 2位
接口eMMC
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数153引脚
时钟频率最大值200MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3.3V eMMC NAND Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
ASFC128G32T5-51BIN e·MMC 是一款受管非易失性存储器，由单芯片 MMC 控制器和 NAND 闪存芯片组成，封装于 JEDEC 定义的标准 BGA 封装中。它专为存储数据和作为启动介质而设计，是一款小尺寸存储产品。 其性能经过优化，可在低功耗状态下主要支持读取操作模式。通过采用 3D TLC NAND 技术，并可选配增强模式（pSLC）配置，该产品专为要求更高的工业应用而设计，并符合工业级温度规格要求。 该 e·MMC 控制器直接管理 NAND 闪存，包括 ECC、磨损均衡、IOPS 优化及读取检测。其固件特性支持大容量数据传输的高吞吐量，以及在代码应用中更常见的小型随机数据处理性能。此外，它还包含多项安全功能以及多个启动分区。
- 128Gb容量，eMMC 5.1版本，512Gb x 2 NAND芯片
- 多个 3D TLC 或增强/可靠模式分区，用户可根据 e·MMC 5.1 规范进行配置
- 断电数据丢失保护、磨损均衡技术
- 支持根据e·MMC 5.1规范进行现场固件更新
- 启动操作模式和备用启动操作模式
- 重放保护内存块 (RPMB)，VCC 电压范围为 2.7V 至 3.6V
- VCCQ 电压范围为 1.7V 至 1.95V 或 2.7V 至 3.6V
- 读取电流为 148mA（典型值，VCCQ 1.8V），写入电流为 96mA（典型值，VCCQ 1.8V
- 待机电流为 0.06mA（典型值，VCCQ 1.8V），基于 3D TLC NAND 技术
- 工业温度范围 -40°C 至 +85°C，153-ball FBGA 封装
技术规格
闪存类型
eMMC NAND
记忆配置
512G x 2位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
200MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
128GB
接口
eMMC
针脚数
153引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002387