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S70GL02GT12FHIV10
闪存，并行 NOR，2 Gbit，256M x 8bit/128M x 16bit，并行，120ns，FBGA-64
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产品概述
S70GL02GT12FHIV10是一款基于45 nm MIRRORBIT™工艺制造的S70GL02GT 2Gb MIRRORBIT™闪存器件。 该器件提供 20ns 的快速页面访问时间，对应随机访问时间为 110ns。其写入缓冲区可支持单次操作编程最多 256 个字/512 字节，相比标准单字节/单字编程算法实现更快的有效编程时间。这使该器件成为当今嵌入式应用的理想选择，满足更高密度、更优性能和更低功耗的需求。
- CMOS 3.0V 核心，配备多功能 I/O，采用 45nm MIRRORBIT™ 工艺技术
- 读取/编程/擦除共用单电源(VCC)（2.7V至3.6V），宽I/O电压(VIO)：1.65V至VCC
- 512字节编程缓冲区，以页为单位编程，最大容量512字节
- 支持程序和擦除操作的暂停与恢复命令
- 采用状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
- 先进的扇区保护（ASP），每个扇区均采用易失性和非易失性保护方法
- 独立1024字节一次性可编程（OTP）存储阵列，含两个可锁定区域
- 保护器件的最后一个扇区，不受扇区保护设置影响
- 100000次编程擦除循环，20年数据保留期，强化球栅阵列，1.0mm间距封装
- 120ns速度，工业级扩展温度范围（-40°C至+105°C）
技术规格
闪存类型
并行NOR
存储密度
2Gbit
记忆配置
256M x 8bit / 128M x 16bit
接口
并行口
封装类型
FBGA
时钟频率最大值
-
存取时间
120ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储器容量
2Gbit
闪存配置
256M x 8位 / 128M x 16位
芯片接口类型
并行
IC 外壳 / 封装
FBGA
针脚数
64引脚
时钟频率
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361