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UJ3C120070K3S

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247

ONSEMI

4014262

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续34.5A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散254.2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
RoHS 合规是
RoHS

TW107N65C,S1F(S

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 20 A, 650 V, 0.145 ohm, TO-247

TOSHIBA

4049756

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续20A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.145ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散76W
工作温度最高值175°C
产品范围-
RoHS 合规是
RoHS

SCT3060ALGC11

Data Sheet

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 39 A, 650 V, 0.06欧姆, 18V, 5.6 V

ROHM

2678785

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续39A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-247N
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散165W
工作温度最高值175°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
RoHS 合规是
RoHS

IMW65R027M1HXKSA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247

INFINEON

3500943

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续47A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散189W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC M1
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

FFSD08120A

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, EliteSiC, EliteSiC Series, 单, 1.2 kV, 8 A, 55 nC, TO-252 (DPAK)

ONSEMI

2895645

单件（切割供应）

切割卷带

产品范围EliteSiC Series
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流8A
总电容充电55nC
二极管封装类型TO-252 (DPAK)
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
RoHS 合规Y-Ex
RoHS

IMW65R030M1HXKSA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247

INFINEON

3889201

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散197W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IMBG65R163M1HXTMA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263

INFINEON

3928610

单件（切割供应）

切割卷带

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续17A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.163ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散85W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC M1 Trench Series
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

WNSC6D08650Q

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220

WEEN SEMICONDUCTORS

3773496

价格：每个

产品范围-
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流8A
总电容充电19nC
二极管封装类型TO-220
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
RoHS 合规是
RoHS

GB01SLT12-214

Data Sheet

二极管, 碳化硅, 肖特基, 1A, 1.2KV, DO-214AA

GENESIC

2362874

价格：每个

产品范围1200V Series
二极管配置Single
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流1A
总电容充电13nC
二极管封装类型DO-214AA (SMB)
引脚数2 Pin
工作温度最高值175°C
二极管安装Surface Mount
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead
RoHS 合规Y-Ex
RoHS

IDH16G65C5XKSA2

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, thinQ, 单, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220

INFINEON

3155016

价格：每个

产品范围thinQ
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流16A
总电容充电23nC
二极管封装类型TO-220
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IDL12G65C5XUMA2

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Gen V Series, 单, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON

INFINEON

3514423

单件（切割供应）

切割卷带

产品范围thinQ Gen V Series
二极管配置单
反向重复峰值电压600V
平均正向电流12A
总电容充电18nC
二极管封装类型VSON
引脚数4引脚
工作温度最高值150°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IMBG120R030M1HXTMA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)

INFINEON

3582461

单件（切割供应）

切割卷带

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续56A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.041ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.7V
功率耗散300W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IDK16G120C5XTMA1

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 5G Series, 单, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)

INFINEON

3577325

单件（切割供应）

切割卷带

产品范围CoolSiC 5G Series
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流40A
总电容充电57nC
二极管封装类型TO-263 (D2PAK)
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IMBG120R090M1HXTMA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)

INFINEON

3582464

单件（切割供应）

切割卷带

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续26A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散136W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IDK16G120C5XTMA1

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 5G Series, 单, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)

INFINEON

3577325RL

单件（切割供应）

复卷

产品范围CoolSiC 5G Series
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流40A
总电容充电57nC
二极管封装类型TO-263 (D2PAK)
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

C3D06065A

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, Z-Rec 650V, 单, 650 V, 9 A, 15 nC, TO-220

WOLFSPEED

1864928

价格：每个

产品范围Z-Rec 650V
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流9A
总电容充电15nC
二极管封装类型TO-220
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
RoHS 合规是
RoHS

IGT60R190D1ATMA1

Data Sheet

氮化镓 (GaN)晶体管, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, 表面安装

INFINEON

4220238

价格：单件（切割供应）

切割卷带

漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.14ohm
栅极电荷(典型值)3.2nC
晶体管封装类型PG-HSOF-8-3
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围CoolGaN Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
RoHS 合规是
RoHS

GD10MPS12E

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, MPS Series, 单, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)

GENESIC

4218047

价格：单件（切割供应）

切割卷带

产品范围MPS Series
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流26A
总电容充电32nC
二极管封装类型TO-252 (DPAK)
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS 合规是
RoHS

C3D20060D

Data Sheet

碳化硅肖特基二极管, Z-Rec 600V系列, 双共阴极, 600 V, 59 A, 50 nC

WOLFSPEED

1716951

价格：每个

产品范围Z-Rec 600V
二极管配置双共阴极
反向重复峰值电压600V
平均正向电流59A
总电容充电50nC
二极管封装类型TO-247
引脚数3引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2019)
RoHS 合规是
RoHS

MSC035SMA170B

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247

MICROCHIP

3941434

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续68A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.25V
功率耗散370W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
RoHS 合规是
RoHS

MSC030SDA120K

Data Sheet

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 1.2 kV, 30 A, 130 nC, TO-220

MICROCHIP

3941431

价格：每个

产品范围-
二极管配置单
反向重复峰值电压1.2kV
平均正向电流30A
总电容充电130nC
二极管封装类型TO-220
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
RoHS 合规是
RoHS

MSC040SMA120B4

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

MICROCHIP

3941436

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续66A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散323W
工作温度最高值175°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
RoHS 合规是
RoHS

IMZA120R014M1HXKSA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247

INFINEON

3958245

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续127A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散455W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench系列
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

IMW120R014M1HXKSA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247

INFINEON

3958240

价格：每个

MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续127A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散455W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench系列
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Data Sheet

碳化硅MOSFET, 3级逆变器, 双N通道, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, Module

INFINEON

3994943

价格：每个

MOSFET模块配置3级逆变器
通道类型双N通道
电流, Id 连续100A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻8.1mohm
晶体管封装类型Module
针脚数32引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散20mW
工作温度最高值125°C
产品范围EasyPACK CoolsiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
RoHS 合规是
RoHS

每页项数：

1-25 项，共 1585 项

，共 64 页

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