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NST3906F3T5G
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 mA, 290 mW, SOT-1123, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.920 | CNY14.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 10+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 100+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 500+ | CNY0.800 (CNY0.904) |
| 1000+ | CNY0.622 (CNY0.7029) |
| 5000+ | CNY0.524 (CNY0.5921) |
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产品概述
NST3906F3T5G is a PNP general-purpose transistor. It is designed for general-purpose amplifier applications and is housed in the SOT−1123 surface-mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.
- Reduces board space
- Collector−emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is -40V DC min
- Collector−base breakdown voltage (IC = 10µAdc, IE = 0) is -40V DC min
- Emitter−base breakdown voltage (IE = 10µAdc, IC = 0) is -5V DC min
- DC current gain is 60 at (IC = −0.1mAdc, VCE = −1.0V DC)
- Current−gain − bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20V DC, f = 100MHz) is 250MHz min
- Noise figure (VCE = −5.0V DC, IC = −100µAdc, RS = 1.0kohm, f = 1.0kHz) is 4.0dB max
- Delay time is 35ns max at (VCC = −3.0V DC, VBE = 0.5V DC)
- Rise time is 35ns max at (IC = −10mAdc, IB1 = −1.0mAdc)
- Junction and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
200mA
晶体管封装类型
SOT-1123
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
290mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
250MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000005