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IMB3AT110
晶体管 双极预偏置/数字, 双PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.810 | CNY24.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 10+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 100+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
| 500+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 1000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 5000+ | CNY0.793 (CNY0.8961) |
品項附註
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号IMB3AT110
库存编号
复卷1680325RL
切割卷带1680325
产品范围IMB3A Series
技术数据表
晶体管极性双PNP
数字晶体管极性双路 PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
基极-发射极电阻R2-
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-457
射频晶体管封装SOT-457
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围IMB3A Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
-
晶体管封装类型
SOT-457
引脚数
6引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
4.7kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-457
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
IMB3A Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035