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BFS17PE6327HTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号BFS17PE6327HTSA1
库存编号
整卷4318755
复卷1056522RL
切割卷带1056522
也称为BFS 17P E6327, SP000011073
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFS17PE6327HTSA1
库存编号
整卷4318755
复卷1056522RL
切割卷带1056522
也称为BFS 17P E6327, SP000011073
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压15V
过渡频率2.5GHz
功率耗散280mW
连续集电极电流25mA
晶体管封装类型SOT-23
针脚数3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BFS 17P E6327 is a NPN Silicon RF Transistor for broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1 to 20mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
2.5GHz
连续集电极电流
25mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
15V
功率耗散
280mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000671