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RGT30NS65DGTL
IGBT, 场截止沟道, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY12.740 (CNY14.3962) |
| 100+ | CNY9.060 (CNY10.2378) |
| 500+ | CNY7.610 (CNY8.5993) |
| 1000+ | CNY7.560 (CNY8.5428) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RGT30NS65DGTL复制
库存编号2519779
技术数据表
连续集电极电流30A
集电极-发射极饱和电压1.65V
功率耗散133W
最大集电极发射电压650V
晶体管封装类型TO-263S
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装表面安装
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
连续集电极电流
30A
功率耗散
133W
晶体管封装类型
TO-263S
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
集电极-发射极饱和电压
1.65V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002