打印页面
IXBX50N360HV
IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
215 有货
300 您现在可以预订货品了
8 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
207 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY1,031.140 (CNY1,165.1882) |
| 5+ | CNY974.490 (CNY1,101.1737) |
| 10+ | CNY917.840 (CNY1,037.1592) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY1,031.14 (CNY1,165.19 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBX50N360HV
库存编号3930055
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流125A
集电极-发射极饱和电压2.4V
功率耗散660W
最大集电极发射电压3.6kV
晶体管封装类型TO-247PLUS-HV
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装通孔
产品范围BiMOSFET系列
IXBX50N360HV 的替代之选
找到 1 件产品
产品概述
高压、高频 BiMOSFET™ 单片双极 MOS 晶体管，适用于开关模式和谐振模式电源、不间断电源 (UPS)、激光发生器、电容器放电电路等应用。
- 高阻断电压
- 高压封装
- 低传导损耗
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
技术规格
连续集电极电流
125A
功率耗散
660W
晶体管封装类型
TO-247PLUS-HV
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
2.4V
最大集电极发射电压
3.6kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536