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2SK3019TL
功率场效应管, MOSFET, 低栅极驱动器, N通道, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.670 | CNY13.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 10+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 100+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 500+ | CNY0.748 (CNY0.8452) |
| 1000+ | CNY0.663 (CNY0.7492) |
| 5000+ | CNY0.650 (CNY0.7345) |
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产品概述
The 2SK3019TL is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100mA
晶体管封装类型
EMT
Rds(on)测试电压
4V
功率耗散
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002