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XP8NA1R2TL
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 400 A, 1200 µohm, TOLL, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY41.370 | CNY41.37 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY41.370 (CNY46.7481) |
| 10+ | CNY27.480 (CNY31.0524) |
| 100+ | CNY19.620 (CNY22.1706) |
| 500+ | CNY18.630 (CNY21.0519) |
| 1000+ | CNY17.380 (CNY19.6394) |
品項附註
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产品信息
制造商YAGEO XSEMI
制造商产品编号XP8NA1R2TL
库存编号
复卷4168982RL
切割卷带4168982
产品范围XP8NA1R2 Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续400A
漏源接通状态电阻1200µohm
晶体管封装类型TOLL
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散3.75W
针脚数9引脚
工作温度最高值175°C
产品范围XP8NA1R2 Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
400A
晶体管封装类型
TOLL
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.75W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
9引脚
产品范围
XP8NA1R2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001